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標題: 一線|英特爾:不再按電晶體尺寸命名先進晶片工藝 [打印本頁]

作者: 日日新聞     時間: 2021-7-27 12:54 PM

未來的英特爾產品將不再使用基於奈米的節點命名體系,而是為其製程節點引入了新的命名體系。例如,該公司新的10奈米晶片將被命名為“Intel 7”,而不會像Intel 10nm SuperFin晶片那樣,再以10奈米為基礎而命名。


騰訊新聞《一線》肖然

騰訊新聞《一線》獲悉,7月27日英特爾宣佈了新的製程工藝和封裝技術路線圖,並稱到2024或2025年,將用新的20A製程工藝為高通代工。如果技術演進順利,意味著英特爾將在高階製程工藝上,與臺積電、三星正面競爭。

除高通外,英特爾還宣佈與亞馬遜合作,為其定製先進的封裝技術。

據瞭解,未來的英特爾產品將不再使用基於奈米的節點命名體系,而是為其製程節點引入了新的命名體系。例如,該公司新的10奈米晶片將被命名為“Intel 7”,而不會像Intel 10nm SuperFin晶片那樣,再以10奈米為基礎而命名。

英特爾中國研究院院長宋繼強對包括《一線》在內的媒體表示,過去業界對先進製程的命名較為混亂,英特爾不再去強調數字與奈米之間的關係。

目前英特爾推出的新命名體系無法與現有命名體系直接對比。後續產品出來,可以通過產品指標和電晶體密度做對比。

此外,英特爾稱其有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機,並表示公司正與ASML密切合作,確保在這一行業突破性技術取得成功。

英特爾新任CEO基爾辛格掌權以來,重啟IDM 2.0戰略,希望重返代工領域。為了追趕臺積電和三星等亞洲半導體巨頭,英特爾已宣佈,正在美國投資200億美元建設兩家新工廠,還將再投資70億美元將愛爾蘭工廠的產能擴大一倍。



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