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集微網消息 日前,拓荊科技表示公告,公司擬使用超募資金9.3億元用於半導體先進工藝裝備研發與產業化項目建設。

據其表示,本項目將在上海市自由貿易試驗區臨港新片區建設研發與產業化基地,用於先進ALD設備及工藝的研發,並實現以臨港為中心客戶群所需半導體設備的產業化。本項目的實施,將助推公司業務規模的持續增長,同時,也有助於公司不斷加強自身在細分領域的競爭優勢,始終保持業內領先地位。

本項目通過佈局半導體先進工藝裝備的研發與產業化,以滿足集成電路晶圓製造產線的需求,有利於推動集成電路關鍵設備的發展,是落實國家產業規劃、實現我國集成電路產業鏈高端設備供給自主可控的必要舉措。

隨著集成電路芯片技術的迭代升級,芯片結構複雜度不斷提高,對薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢對薄膜沉積設備提出了更高的技術要求,市場對於高性能薄膜設備的依賴逐漸增加。

本項目通過新建研發及生產環境,在現有技術儲備的基礎上,研製適用於先進技術節點的薄膜沉積設備,並實現以臨港為中心客戶群所需半導體設備的產業化,有利於提升產品技術水平及核心競爭力,並鞏固行業領先地位。

隨著半導體行業整體景氣度的提升,全球半導體設備市場呈現快速增長態勢,拉動市場對薄膜沉積設備需求的增加。Maximize Market Research預計全球半導體薄膜沉積設備市場規模在2025年將達到340億美元,2020年-2025年期間保持年複合13.3%的增長速度。

本項目通過佈局適用於先進製程領域的半導體設備,可以進一步提高邏輯電路、存儲芯片等集成電路製造設備領域的市場份額,在即將到來的新興應用領域及其所需高端芯片的增長期中奪得先機,進而抓住市場機遇迅速擴大企業規模。(校對/鄧文標)



原文連結:https://inewsdb.com/其他/拓荊科技:擬以9-3億元投建半導體先進工藝裝備研/

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