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集微網消息,據韓媒報道,在日前舉辦的行業活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預計,存儲半導體市場的下行週期將持續到2025年。

Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預期更為糟糕,預計來年三季度DRAM和NAND市場都將出現暫時反彈,不過需求增速預期將分別從此前17%、30%下修至10%、19%,其後市場將再度逐步下行,總體規模萎縮,直至2026年後迎來拐點。


Tech Insights研究員Jeongdong Choi在同一活動上分享了其對存儲半導體技術趨勢的判斷,他指出,三星電子的DRAM技術之前領先於其他競爭對手,但從2020年1z(15nm 級)DRAM開始,三家主要存儲半導體公司的技術幾乎達到同步,“隨著DRAM密度不斷提升的嘗試,2025年將開發1c(11~12nm)DRAM,2029年左右我們將進入個位數nm級DRAM時代。”

關於NAND,Choi表示各大廠商正在開發400-500層堆疊產品,800層堆疊技術將在8-9年內發展。因此,必須引入先進的封裝工藝技術。

(校對/武守哲)



原文連結:https://inewsdb.com/其他/機構:存儲半導體市場下行週期將持續至2025年/

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